뛰어난 연신성을 보유한 Graphene-FET 개발 

신소재공학과 윤순길 교수팀과 김현유 교수팀이 저온인 100°C에서 직접 성장된 그래핀을 이용해 세계 최초로 낮은 Stretchability(약 10%)를 140%까지 획기적으로 향상시킨 stretchable field-effect transistor (FET)를 개발했다.

이번 연구 결과는 재료 분야 유명 저널 학술지인 'Advanced Science' (IF: 15.840)에 2월 1일자 온라인판에 게재됐다. (논문 제목 : Direct Growth of Highly Conductive Large-Area Stretchable Graphene, 2021) 

꿈의 나노소재로 불리는 그래핀은 다양한 우수성을 갖고 있어 전 세계적으로 많은 연구가 진행되고 있지만, 전사 공정 시 특성 저하와 강철보다 강한 평면 방향으로의 강도 때문에 상용화가 어려운 상황이다.

이에 윤순길 교수팀과 김현유 교수팀은 Ti-buffer층 위에 성장된 그래핀 온도를 100°C까지 낮춰 우수한 특성을 획득함과 동시에 연신성이 약 140%까지 향상된 FET를 개발했다. 이번에 개발된 기술은 Skin Health 등 연신성 소자 제조에 활용될 것으로 기대된다.

윤순길 교수는 “그래핀 FET의 높은 연신성은 세계 최고의 연신결과”라며, “이 기술은 바로 산업체에 응용될 수 있을 만큼 매우 간단한 구조이기에 가격 경쟁력에서도 뛰어난 기술”이라고 말했다.